Перегляд за автором "Попов, В.М."

Результати 1-10 з 10

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов

Попов, В.М.; Шустов, Ю.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.
Детекція гена Or5 стійкості до вовчка соняшнику за допомогою SCAR-маркеру RTS05

Попов, В.М.; Тереняк, Ю.М.; Акініна, Г.Є.; Шарипіна, Я.Ю.; Долгова, Т.А.; Кириченко, В.В. (Фактори експериментальної еволюції організмів, 2015)

Aims. The SCAR-marker RTS05 are linked to Or5-gene mapped on 5.6 сМ from it. The aim of this work was investigation of the presence of SCAR-marker RTS05 on various breeding initial material of sunflower. Methods. We studied ...
Зміни активності й термостабільності пероксидази коренів пшениці після короткочасної дії гіпертермії

Карпець, Ю.В.; Обозний, О.І.; Попов, В.М.; Колупаєв, Ю.Є. (Физиология и биохимия культурных растений, 2009)

Досліджували вплив короткочасного нагрівання (1 хв за температури 42 °С у водяному термостаті) на активність, термостабільність та ізоферментний спектр пероксидази коренів етіольованих проростків пшениці. Через 1 й особливо ...
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния

Попов, В.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П.; Шустов, Ю.М.; Гаврилюк, И.И.; Панин, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Исследованы электрически активные дефекты с локально повышенной проводимостью p-n-перехода и световой эмиссией. Показано, что по их концентрации можно контролировать качество солнечных батарей в процессе изготовления.
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы

Попов, В.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П.; Самотовка, В.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Метод основан на использовании визуального отображения в поляризационном микроскопе локально нагретых областей в пленке холестерического жидкого кристалла на поверхности кристалла интегральной схемы.
Особливості мінливості якісних та кількісних ознак в поколіннях F₂ соняшнику (Helianthus annuus L.)

Шарипіна, Я.Ю.; Попов, В.М.; Кириченко, В.В. (Фактори експериментальної еволюції організмів, 2008)

В роботі вивчено прояв кількісних ознак соняшнику залежно від певного варіанту якісної ознаки. Показано, що у поколіннях F₂ виявляється неоднаковий ефект сумісного успадкування якісних та кількісних ознак соняшнику.
Поширення пшенично-житньої транслокації в зразках пшениці м’якої озимої (Triticum aestivum L.) української селекції

Зайцева, Г.П.; Акініна, Г.Є.; Твердохліб, О.В.; Попов, В.М. (Фактори експериментальної еволюції організмів, 2015)

Aims. The aim of our research was identification of wheat-rye translocation in soft winter wheat samples of Ukrainian breeding. Methods. DNA was isolated from a mixture of five seeds. Presence of wheat-rye translocation ...
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур

Попов, В.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П.; Шустов, Ю.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм.
Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники

Попов, В.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Разработан новый метод отображения «горячих точек» в изделиях микроэлектроники, основанный на визуализации локальной холестерической фазы в смектической фазе холестерического жидкого кристалла. Приведена технология реализации ...
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка

Перевертайло, В.Л.; Добровольский, Ю.Г.; Попов, В.М.; Поканевич, А.П.; Мацкевич, В.М.; Рыжиков, В.Д.; Шабашкевич, Б.Г.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Исследования электрофизических и фотоэлектрических характеристик разработанных фотодиодов Шоттки на основе Nі.ZnSe(Te,O)-Іn показали, что они могут быть применены в приборах для радиометрии и дозиметрии УФ-излучения.

Результати 1-10 з 10

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Попов, В.М."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Попов, В.М."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис